Vorrichtung und Verfahren zur Verhinderung eines Substratstroms in einem Ic-Halbleitersubstrat

EP4122012 Art A1 25. Januar 2023

Anmelder: Elmos Semiconductor SE, Hyundai Mobis Co., Ltd. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4122012
Aktenzeichen: EP21714114
Anmeldetag: 18. März 2021
Veröffentlichung: 25. Januar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/02H02H9/04H03K17/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Elmos Semiconductor SE
Hyundai Mobis Co., Ltd.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇰🇷 Hyundai Mobis

Südkoreanisches Unternehmen, das Fahrzeugmodule und Komponenten wie Fahrwerks-, Sicherheits- und Elektroniksysteme für die Automobilindustrie entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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