Hochfrequenz-(rf)-Schnittstelle und Modulare Platte

EP4122045 Art A1 25. Januar 2023

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4122045
Aktenzeichen: EP21718298
Anmeldetag: 17. März 2021
Veröffentlichung: 25. Januar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01P5/02H05K1/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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