Verfahren zur Herstellung einer Galliumoxidschicht auf einem Substrat
EP4123061
Art A1
25. Januar 2023
Anmelder: Siltronic AG, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4123061
- Aktenzeichen
- EP21187231
- Anmeldetag
- 22. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/16C30B29/16C23C16/40C23C16/455C23C16/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Siltronic AG
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin e.V. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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