Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon

EP4123720 Art A1 25. Januar 2023

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4123720
Aktenzeichen: EP22184871
Anmeldetag: 14. Juli 2022
Veröffentlichung: 25. Januar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/04H01L29/06H01L29/417H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von