Selbstausgerichtete Seitliche Kontakte
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4125117
- Aktenzeichen
- EP22159400
- Anmeldetag
- 1. März 2022
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2024
- Erteilung
- 15. Mai 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/74H01L21/768H01L23/528H01L23/535H01L21/8238H01L27/092
Abstract
Techniques to form self-aligned lateral contacts. In an example, a first trench contact contacts a source or drain region of a transistor. A second trench contact includes non-contiguous first and second portions, each portion having a top surface that is co-planar with a top surface of the first trench contact as well as a top surface of the gate structure. A sidewall of the second trench contact is self-aligned to, and interfaces with, a sidewall of the first trench contact. A via extends from the first portion of the second trench contact to an underlying power rail. In some cases, the second portion of the second trench contact extends over a source or drain region of another transistor, without contacting that source or drain region. The fly-over portion of the second trench contact has a maximum height that is shorter than a maximum height of the first trench contact.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.