Verfahren zur Herstellung einer Piezoelektrischen Struktur für eine Hochfrequenzvorrichtung und geeignet zur Übertragung einer Piezoelektrischen Schicht und Verfahren zur Übertragung einer Solchen Piezoelektrischen Schicht

EP4128380 Art B1 25. Juni 2025

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4128380
Aktenzeichen: EP21713957
Anmeldetag: 24. März 2021
Veröffentlichung: 25. Juni 2025
Erteilung: 25. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/072H10N30/073

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von