Verfahren zur Herstellung einer Piezoelektrischen Struktur für Hochfrequenzvorrichtung, die zur Übertragung einer Piezoelektrischen Schicht Verwendet Werden Kann und Verfahren zur Übertragung einer Solchen Piezoelektrischen Schicht

EP4128381 Art A1 8. Februar 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4128381
Aktenzeichen: EP21714150
Anmeldetag: 24. März 2021
Veröffentlichung: 8. Februar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/312H01L41/313H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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