Halbleitersubstratreinigungsverfahren, Verfahren zur Herstellung eines Verarbeiteten Halbleitersubstrats und Zusammensetzung zum Schälen
EP4130223
Art A1
8. Februar 2023
Anmelder: Nissan Chemical Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4130223
- Aktenzeichen
- EP21776962
- Anmeldetag
- 22. März 2021
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/311H01L21/683C08G77/12C08G77/20C08G77/00C08L83/04C09J183/04C11D7/26C11D7/34C11D7/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nissan Chemical Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissan Chemical Corporation
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München