Lese- und Schreibverfahren und Speichervorrichtung

EP4131009 Art A1 8. Februar 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4131009
Aktenzeichen
EP20926358
Anmeldetag
9. November 2020
Veröffentlichung
8. Februar 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G06F11/16G11C29/44
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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