Direkte Herstellung von Hexagonalem Bornitrid auf Siliciumbasierten Dielektrika
EP4131339
Art A3
15. Februar 2023
Anmelder: GlobalWafers Co., Ltd., The Board of Trustees of the University of Illinois 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4131339
- Aktenzeichen
- EP22197006
- Anmeldetag
- 28. April 2017
- Veröffentlichung
- 15. Februar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- GlobalWafers Co., Ltd.
The Board of Trustees of the University of Illinois - Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇺🇸
Board of Trustees of the University of Illinois
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