Halbleiterstruktur

EP4131351 Art A1 8. Februar 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4131351
Aktenzeichen
EP21855274
Anmeldetag
30. Juni 2021
Veröffentlichung
8. Februar 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/66G03F7/20G03F9/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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