Für Überspannungsdurchschlagsfunktion Verwendete Variable Dotierungsstruktur für Pufferregion und Halbleiterbauelement
EP4131418
Art A1
8. Februar 2023
Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4131418
- Aktenzeichen
- EP20927940
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2020
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/36H01L29/739H01L29/744H01L29/749H01L29/08// H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tsinghua University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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