Verfahren zur Herstellung eines Integrierten Seoi-Schaltungschips

EP4133523 Art A1 15. Februar 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4133523
Aktenzeichen: EP21715598
Anmeldetag: 29. März 2021
Veröffentlichung: 15. Februar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L29/66H01L29/786H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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