Dünnfilmabscheidungsverfahren und Halbleiterbauelement

EP4135011 Art A1 15. Februar 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4135011
Aktenzeichen
EP21928347
Anmeldetag
16. September 2021
Veröffentlichung
15. Februar 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L29/51C23C16/50C23C16/455C23C16/44H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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