Gate-To-Gate-Isolation für Gestapelte Transistorarchitektur durch Nichtselektive Dielektrische Abscheidungsstruktur

EP4135019 Art A1 15. Februar 2023

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4135019
Aktenzeichen: EP22183820
Anmeldetag: 8. Juli 2022
Veröffentlichung: 15. Februar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/822H01L21/8238H01L27/06H01L27/092H01L29/06H01L29/66H01L29/775H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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