Galliumnitrid(gan)-Epitaxie auf einem Strukturierten Substrat für Integrierte Schaltungstechnik

EP4141921 Art A3 17. Mai 2023

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4141921
Aktenzeichen: EP22186480
Anmeldetag: 22. Juli 2022
Veröffentlichung: 17. Mai 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8258H01L21/02// H01L27/085H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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