Gruppe-Iii-Nitrid-Basierte Transistorvorrichtung

EP4143886 Art A1 8. März 2023

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4143886
Aktenzeichen: EP21719842
Anmeldetag: 28. April 2021
Veröffentlichung: 8. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/20H01L29/40H01L29/778H01L23/485

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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