Taktschaltung, Speicher und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur
EP4145332
Art A1
8. März 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4145332
- Aktenzeichen
- EP21881356
- Anmeldetag
- 8. September 2021
- Veröffentlichung
- 8. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F30/392G06F30/398G06F1/04G06F30/396H05K1/02G06F1/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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