Verfahren zum Bilden einer Verbindungsplatte und Halbleiterstruktur
EP4145493
Art B1
31. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4145493
- Aktenzeichen
- EP21881347
- Anmeldetag
- 9. September 2021
- Veröffentlichung
- 31. Januar 2024
- Erteilung
- 31. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/3213H01L21/82H01L27/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank