Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren, Speicher und Herstellungsverfahren dafür
EP4145511
Art A1
8. März 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4145511
- Aktenzeichen
- EP20934120
- Anmeldetag
- 11. November 2020
- Veröffentlichung
- 8. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10B53/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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