Halbleiteranordnung mit Defektschicht und Verfahren zu deren Herstellung
EP4145531
Art A1
8. März 2023
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4145531
- Aktenzeichen
- EP22192399
- Anmeldetag
- 26. August 2022
- Veröffentlichung
- 8. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L29/737H01L29/32H01L21/331// H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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