Dreidimensionale Speicherarrays und Verfahren zur Formung davon
EP4147237
Art A1
15. März 2023
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4147237
- Aktenzeichen
- EP21800111
- Anmeldetag
- 21. April 2021
- Veröffentlichung
- 15. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B63/00H10B61/00G11C13/00H10N70/20H10N70/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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