Pad-Out-Struktur für Xtacking-Architektur
EP4147272
Art B1
15. Januar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4147272
- Aktenzeichen
- EP20951897
- Anmeldetag
- 2. September 2020
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2025
- Erteilung
- 15. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/485H01L21/98H01L25/18H01L21/768H01L23/48H01L25/065H10B41/27H10B41/50H10B43/27H10B43/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank