Tsv-Produkt, Tsv-Probe und Verfahren zur Herstellung davon
EP4148410
Art A1
15. März 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4148410
- Aktenzeichen
- EP21893113
- Anmeldetag
- 13. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 15. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N1/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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