Empfänger, Speicher und Testverfahren

EP4148580 Art B1 16. Juli 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4148580
Aktenzeichen
EP21884129
Anmeldetag
24. September 2021
Veröffentlichung
16. Juli 2025
Erteilung
16. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/02// G11C7/06G11C7/10G11C29/12H03K5/08H03K5/24H03F3/45
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

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