Halbleiterspeicher und Kapazitätskonfigurationsverfahren für einen Darauf Gespeicherten Block
EP4148736
Art A1
15. März 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4148736
- Aktenzeichen
- EP21927042
- Anmeldetag
- 2. November 2021
- Veröffentlichung
- 15. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/02G11C11/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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