Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung davon
EP4148792
Art A1
15. März 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4148792
- Aktenzeichen
- EP21912333
- Anmeldetag
- 24. September 2021
- Veröffentlichung
- 15. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N97/00H10B12/00H01L29/786// H10B80/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin
-
V.O
V.O · Den Haag