Unterdrückung des Hohlraummodus einer Leiterplatte

EP4150670 Art A1 22. März 2023

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4150670
Aktenzeichen: EP21705739
Anmeldetag: 19. Januar 2021
Veröffentlichung: 22. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/552H01P1/16H01P1/20H05K1/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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