Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4152382
Art B1
28. Mai 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4152382
- Aktenzeichen
- EP21863074
- Anmeldetag
- 27. September 2021
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2025
- Erteilung
- 28. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/532H01L21/768H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner · Berlin
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V.O
V.O · Den Haag