Siliciumnitrid-Sinterkörper, Verschleissfestes Element damit und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Sinterkörpers

EP4155565 Art B1 28. Januar 2026

Anmelder: Niterra Materials Co., Ltd., KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4155565
Aktenzeichen
EP21809174
Anmeldetag
14. Mai 2021
Veröffentlichung
28. Januar 2026
Erteilung
28. Januar 2026
Rechtsraum
EP
IPC
F16C33/32C04B35/587C04B35/584F16C33/34C04B35/626C04B35/645C04B35/593
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Niterra Materials Co., Ltd.
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

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