Siliciumnitrid-Sinterkörper, Verschleissfestes Element damit und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Sinterkörpers

EP4155565 Art B1 28. Januar 2026

Anmelder: Niterra Materials Co., Ltd., KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4155565
Aktenzeichen
EP21809174
Anmeldetag
14. Mai 2021
Veröffentlichung
28. Januar 2026
Erteilung
28. Januar 2026
Rechtsraum
EP
IPC
F16C33/32C04B35/587C04B35/584F16C33/34C04B35/626C04B35/645C04B35/593
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Niterra Materials Co., Ltd.
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Maschinenelemente & Fluidtechnik

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