Halbleiterstruktur und Layout davon sowie Halbleiterbauelement

EP4156187 Art A1 29. März 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4156187
Aktenzeichen
EP21916637
Anmeldetag
18. September 2021
Veröffentlichung
29. März 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/06G11C5/10// G11C5/02G11C5/14G11C11/22G11C11/401G11C11/4074H01L27/01
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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