Sige:b-Pepi mit Hohem Germanium- und Boranteil bei Niedriger Temperatur mit einer Siliziumreichen Deckschicht für einen Ultraniedrigen Pmos-Kontaktwiderstand und Thermische Stabilität
EP4156283
Art A1
29. März 2023
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4156283
- Aktenzeichen
- EP22191316
- Anmeldetag
- 19. August 2022
- Veröffentlichung
- 29. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/08H01L29/161H01L29/66H01L29/775H01L29/45// B82Y10/00H01L29/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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