Transistoren mit Reduzierter Epitaktischer Source/drain-Spanne durch Rückätzung für Verbesserte Zellenskalierung

EP4156293 Art A1 29. März 2023

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4156293
Aktenzeichen: EP22189549
Anmeldetag: 9. August 2022
Veröffentlichung: 29. März 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/775H01L29/08H01L21/336H01L29/06H01L29/16H01L29/423H01L21/306H01L21/20// B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von