Siliciumnitrid-Sinterkörper, Verschleissfestes Element damit und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Sinterkörpers
EP4159703
Art A1
5. April 2023
Anmelder: Niterra Materials Co., Ltd., KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4159703
- Aktenzeichen
- EP21811913
- Anmeldetag
- 25. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 5. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/587B23B27/14F16C33/32C04B35/638C04B35/645C04B35/593
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Niterra Materials Co., Ltd.
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
5.205 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München