Siliciumnitrid-Sinterkörper, Verschleissfestes Element damit und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Sinterkörpers

EP4159703 Art A1 5. April 2023

Anmelder: Niterra Materials Co., Ltd., KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4159703
Aktenzeichen: EP21811913
Anmeldetag: 25. Mai 2021
Veröffentlichung: 5. April 2023
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/587B23B27/14F16C33/32C04B35/638C04B35/645C04B35/593

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Niterra Materials Co., Ltd.
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

411 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Maschinenelemente & Fluidtechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von