Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP4160662 Art A1 5. April 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc., Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4160662
Aktenzeichen: EP21923590
Anmeldetag: 8. November 2021
Veröffentlichung: 5. April 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L27/105H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Changxin Memory Technologies, Inc.
Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von