Abnehmbares Temporäres Substrat mit Sehr Hohen Temperaturen und Verfahren zur Übertragung einer Arbeitsschicht von Diesem Substrat

EP4162522 Art B1 12. Juni 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4162522
Aktenzeichen: EP21731232
Anmeldetag: 26. April 2021
Veröffentlichung: 12. Juni 2024
Erteilung: 12. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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