Metalloxidhalbleitermaterial, Zielmaterial und Herstellungsverfahren Dafür, Dünnschichttransistor und Herstellungsverfahren dafür

EP4167291 Art A1 19. April 2023

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4167291
Aktenzeichen: EP21905343
Anmeldetag: 2. November 2021
Veröffentlichung: 19. April 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/24H01L29/786H01L21/34C23C14/34C23C14/08C04B35/01C04B35/453C04B35/457C04B35/622

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

9.260 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

939 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von