Mos-Gesteuertes Thyristorelement

EP4167293 Art A1 19. April 2023

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4167293
Aktenzeichen: EP21822155
Anmeldetag: 10. Juni 2021
Veröffentlichung: 19. April 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/745H01L29/749H01L29/06H01L29/08H01L21/332// H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

3.041 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von