Mit Schwefelsäurehaltiger Lösung mit Verbesserter Leistung Dotierte Pbi-Basierte Membran, Herstellungsverfahren dafür und Verwendung davon

EP4167328 Art A1 19. April 2023

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4167328
Aktenzeichen: EP22199235
Anmeldetag: 30. September 2022
Veröffentlichung: 19. April 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01M8/0239H01M8/0245H01M8/18H01M8/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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