Testschaltung, Testvorrichtung und Testverfahren dafür

EP4170358 Art B1 6. August 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4170358
Aktenzeichen
EP21859809
Anmeldetag
18. Juni 2021
Veröffentlichung
6. August 2025
Erteilung
6. August 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G01R29/02G11C29/12G11C29/50G11C29/56
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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