Signalabschirmungsschaltung und Halbleiterspeicher

EP4170659 Art A1 26. April 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4170659
Aktenzeichen
EP21918121
Anmeldetag
19. November 2021
Veröffentlichung
26. April 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10G11C7/22G11C11/4076H03K19/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

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