Transistorstruktur und Herstellungsverfahren dafür sowie Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4170701
Art A1
26. April 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4170701
- Aktenzeichen
- EP21938807
- Anmeldetag
- 17. August 2021
- Veröffentlichung
- 26. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/336H01L21/8256H01L27/092H01L29/45H01L29/423// H01L29/24H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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