Verfahren zur Herstellung eines Thermooptischen Bauteils

EP4172690 Art B1 23. Juli 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4172690
Aktenzeichen
EP21740151
Anmeldetag
22. Juni 2021
Veröffentlichung
23. Juli 2025
Erteilung
23. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G02F1/01G02F1/015
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SOITEC
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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