Halbleiterbauelement

EP4174461 Art A1 3. Mai 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4174461
Aktenzeichen
EP20940477
Anmeldetag
11. November 2020
Veröffentlichung
3. Mai 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/04G01K3/00G11C5/02G01K7/01// G11C29/50
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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