Gate-Unit für einen Gate-Kommutierten Thyristor und Integrierter Gate-Kommutierter Thyristor
EP4175178
Art A1
3. Mai 2023
Anmelder: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4175178
- Aktenzeichen
- EP21205354
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 3. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/80H03K17/04H03K17/0412H03K17/13H02M1/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
École Polytechnique Fédérale de Lausanne
Schweizer technische Hochschule und Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt auf Ingenieur- und Naturwissenschaften.
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