Verfahren zur Co-Herstellung eines Ferroelektrischen Speichers und eines Resistiven Oxram-Speichers und Vorrichtung mit einem Ferroelektrischen Speicher und einem Resistiven Oxram-Speicher

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4175448

Aktenzeichen

EP22203636

Anmeldetag

25. Oktober 2022

Veröffentlichung

8. Mai 2024

Erteilung

8. Mai 2024

Rechtsraum

EP

IPC

H10N70/20H10B53/30H10B63/00

Abstract

L'invention concerne un procédé de co-fabrication d'une FeRAM et d'une OxRAM comportant les étapes suivantes :- dépôt d'une couche de première électrode 201 réalisée de manière identique pour la zone Z1 et la zone Z2 ;- dépôt d'une couche de matériau actif à base de dioxyde d'hafnium réalisée de manière identique pour Z1 et Z2 ;- dépôt d'une première couche conductrice 204 réalisée de manière identique pour Z1 et Z2 ;- réalisation d'un masque au niveau de Z2 en laissant libre Z1 ;- retrait de la couche 204 au niveau de Z1, Z2 étant protégée par le masque ;- retrait du masque au niveau de Z2 ;- dépôt d'une seconde couche conductrice 206 en contact avec la couche 204 au niveau de Z2 et en contact avec la couche 203 au niveau de Z1, le matériau de la couche 206 étant choisi pour créer des lacunes d'oxygène dans la couche active et dépôt d'une troisième couche conductrice réalisée de manière identique pour Z1 et Z2.

Anmelder

Firmen

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete