Substrat mit Grossem Durchmesser für Epitaktisches Wachstum von Gruppe-Iii-Nitrid und Herstellungsverfahren dafür
EP4177384
Art A1
10. Mai 2023
Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4177384
- Aktenzeichen
- EP21831686
- Anmeldetag
- 18. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02C30B29/38H01L21/205H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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