Offsetspannungskorrekturschaltung und Offsetspannungskorrekturverfahren

EP4181399 Art A1 17. Mai 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4181399
Aktenzeichen
EP21863344
Anmeldetag
29. Juni 2021
Veröffentlichung
17. Mai 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H03M1/06G11C29/02G11C29/12H03F3/45H03K5/24
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen