Layoutverfahren und -Vorrichtung für Integrierte Schaltung

EP4184377 Art A1 24. Mai 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4184377
Aktenzeichen
EP21888187
Anmeldetag
1. Juli 2021
Veröffentlichung
24. Mai 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G06F30/392H01L27/02G03F1/36G06F30/398H10B12/00// G06F119/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Software & Datenverarbeitung

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