Speicher und Herstellungsverfahren dafür

EP4184580 Art A1 24. Mai 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4184580
Aktenzeichen
EP20949449
Anmeldetag
21. Dezember 2020
Veröffentlichung
24. Mai 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H10B12/00H01L29/423H01L21/8234H01L27/105H01L21/28H01L29/49H10B99/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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